Bildungsbedingungen und Struktur dünner Bi_1−xSb_x‐Schichten

Abstract

Diinne polykristalline Bil -,Sb,-Filme mit azimutaler Orientierung der Kristalle wurden durch die Flashtechnik und die Katodenzerstiiubung abgeschieden. I n Abhiingigkeit von den Bildungsbedingungen wurde die Struktur dieser Filme analysiert. Die Strukturuntersuchungen wurden mit Hilfe der Transmissionselektronenmikroskopie, der Elektronenbeugung und der Elektronenstrahlmikroanalyse durchgefiihrt. Wenn man die Schichten nach ihrer Orientierung, der Qualitiit ihrer Oberflriche und der durchschnittlichen Kristallitgroh beurteilt, so ist die Flashaufdampftechnik der Katodenzerstiiubung unter den hier gewiihlten experimentellen Bedingungen uberlegen. Das Bi/Sb-Verhiiltnis iindert sich nicht gegeniiber dem Target bzw. Quellenmaterial wiihrend der Filmbildung.Thin polycrystalline Bil-,Sb, films in oriented state were deposited by flesh evaporation techniques and by catode sputtering. In dependence on the conditions of formation the structure of these films was analysed by means of transmission electron microscopy, electron diffraction and electron beam microanalysis. Estimating the orientation, quality of surface and largeness of the average diameter of the crytallites the flash evaporation technique is superior to the catode sputtering under the experimental conditions chosen in this investigation. The Bi : Sb proportion does not change in comparison with the target, material of the source respectively, during the formation of the film.

Mobilities and Concentrations of Charge Carriers in Polycrystalline Bi0.87Sb0.13 Films

“…= pi(2) = p!3) or p!') = pj2), Oi = 0), the formulae of the isotropic two-carrier model are included as a special case (5; = 1) in (2) to (4).…”