Berechnung der chemischen Verschiebung der Kernresonanz in A^III–B^V‐Halbleitern

Abstract

Die Ramseysche Theorie der chemischen Verschiebung der Kernresonanz wird auf den Fall, daD EnergiebLnder vorliegen, ausgedehnt und unter Benutzung des Kaneschen Bandstrukturmodells und der Kenntnisse iiber die chemische Bindung auf die Berechnung der Resonanzverschiebung in AIIr-Bv-Halbleitern angewendet. Eine Erkliirung der aus der Literatur bekannten experimentellen Verschiebungen wird erst durch Beriicksichtigung von d-Elektronen moglich. Die auftretenden Einzentrumintegrale werden mit Hilfe modifizierter Slater-Funktionen, die Zweizentrenintegrale mit normalen Slater-Funktionen berechnet.Ramsey's theory of nuclear magnetic resonance chemical shift is extended to energy bands. This theory is applied to 111-V semiconductors using Kane's band structure model and data about chemical bond. An explanation of experimental shift values known is possible by taking into account d-electrons. One-centre integrals are calculated with modified Slatertype orbitals, two-centre integrals with usual Slater-type orbitals.