Appareillage d'épitaxie de composés semiconducteurs par transport réactif à courte distance

Abstract

2014 L'appareillage décrit est un système permettant de réaliser le transport d'un matériau sur un substrat, dans une enceinte où la pressionou le débitdu gaz réactif peuvent être fixés ; les caractéristiques principales résident dans le contrôle et la stabilisation des températures, la rapidité d'établissement des programmes thermiques et la multiplicité des interventions in situ. Précision des mesures et souplesse d'utilisation sont les qualités qui font de cet appareillage un bon outil de recherche expérimentale. Un exemple d'application à la croissance épitaxique d'un composé semiconducteur (CdTe) est présenté.Abstract. 2014 We describe an apparatus which is used for the transport of a material upon a substrate, in a vessel where the pressure or the flow rate of the reactive gas are determined ; the mean characteristics are the control and the stability of the temperature, the fast settlement of the thermal program and the possibility of in situ operations. Measurement accuracy and use flexibility make this apparatus well adapted to experimental research. The epitaxial growth of a compound semiconductor (CdTe) is given as an example of application.

Epitaxy of GaAs by the Close‐Spaced Vapor Transport Technique

“…[3]). This second path for the transport of GaAs is 2GaAs(~) + H20(g) ~ Gala(g) + V2 As4(g) + H~(g) [13] It is assumed that the second equation will also follow the two hypotheses presented above. Since both reactions involved in the transport are always at equilibrium at the source and substrate surfaces, they can be treated independently.…”

“…= exp [-AG~ [15] where P' is the partial pressure of the volatile materials involved in reaction [13] and AG ~ is the standard free energy of reaction [13]. Equations [14] and [15] can be simplified.…”

“…For the second reaction (Eq. [13]), DG~2O = DA~4. Therefore, the growth rate of GaAs can be calculated from the total steady-state flux of Ga, JG~ t, given in Eq.…”

“…Thermodynamic data used in the model.--In the proposed model, AG~ AG~ and AG~ AG~ are calculated for Eq. [3] and [13], respectively. Note that the experimental source and substrate temperatures, % and T~, read at the thermocouples, have to be replaced by the corrected values (T]) .... and (TD ..... respectively.…”

Mesure des hauteurs de barrière dans les hétérojonctions pSnTe-nCdTe

“…On peut ainsi prendre pour VD une valeur voisine de 0,23 eV.Les jonctions abruptes ont 6t6 obtenues a 1'aide d'une m6thode de transport r6actif a courte distance (C.S.V.T. )[12]. Au terme de la croissance, les structures subissent un recuit thermique final in situ sous atmosphere d'hydrog6ne a 300 OC pendant 30 min.…”