Anisotropy of optical absorption in birefringent porous silicon

Optical properties of photo-electrochemical etching of anisotropic silicon (110)

“…This preferential pore alignment has an important implication for the optical properties of the layers [3]. Etched Si layers electrochemically formed on p-type Si (110) wafers reveal strong in-plane birefringence [1,2,3]. Birefringent etched Si layers demonstrate properties of a uniaxial negative crystal whose optical axis lies along the [001] in-plane crystallographic direction [4].…”

“…The reduced symmetry of the dielectric function of etched Si layers originates from the selective pore dispersion in equivalent [100] crystallographic directions. This preferential pore alignment has an important implication for the optical properties of the layers [3]. Etched Si layers electrochemically formed on p-type Si (110) wafers reveal strong in-plane birefringence [1,2,3].…”

Анизотропия Оптических, Электрических И Фотоэлектрических Свойств Модифицированных Фемтосекундным Лазерным Облучением Пленок Аморфного Гидрогенизированного Кремния

“…Пропускание излуче-ния, поляризованного вдоль протяженных кластерных образований, меньше, чем пропускание излучения, по-ляризованного поперек протяженных кластерных обра-зований. Заметим, что близкие нашим результаты были получены в работе [6] для пленок пористого кремния, в котором была cформирована анизотропная структура, с " вытянутыми" в одном направлении нанокристаллами. Полученные результаты авторы [6] объясняли меньшей величиной электрического поля внутри нанокристаллов в случае поляризации электромагнитной волны перпен-дикулярно вытянутому направлению нанокристаллов.…”

“…Заметим, что близкие нашим результаты были получены в работе [6] для пленок пористого кремния, в котором была cформирована анизотропная структура, с " вытянутыми" в одном направлении нанокристаллами. Полученные результаты авторы [6] объясняли меньшей величиной электрического поля внутри нанокристаллов в случае поляризации электромагнитной волны перпен-дикулярно вытянутому направлению нанокристаллов. Таким образом, анизотропия структуры нанометрового размера, показанная на рис.…”

The Effect of Local Field Dispersion on the Spectral Characteristics of Nanosized Particles and their Composites

“…(Liu, 1994), a description of the distribution of the p-component of the local electric field within the quantum wells in multi-quantum well GaAs-Al x Ga 1-x As structures and the absorption band for intersubband transitions has been obtained, using a self-consistent integral equation for the local field. The development of the approach suggested for the analysis of the spectral features observed from materials based on porous structures is of particular importance (Spanier & Herman, 2000;Timoshenko et al, 2003;. These investigations largely involve extending the models used in effective medium theory.…”