2018
DOI: 10.1007/s11664-018-6272-z
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Anisotropic Thermoelectric Devices Made from Single-Crystal Semimetal Microwires in Glass Coating

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2019
2019
2019
2019

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 20 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Для предотвращения скручивания микропровода во время его вращения контакты к концам микропровода изготавливались с помощью жидкой эвтектики InGa. Часть отрезка нити длиной 1 см была расположена между двумя неодимовыми магнитами, создающими поперечное магнитное поле ∼ 0.5 Тл, что позволяло регистрировать диаграмму вращения поперечного магнитосопротивления микропровода и таким образом определять ориентацию основных кристаллографических осей микропровода [15]. Использование микропровода в анизотропных термоэлектрических преобразователях, например, намоткой его в плоскую спираль, накладывает определенные требования на ориентацию основных кристаллографических осей микропровода [14,15].…”
Section: Introductionunclassified
“…Для предотвращения скручивания микропровода во время его вращения контакты к концам микропровода изготавливались с помощью жидкой эвтектики InGa. Часть отрезка нити длиной 1 см была расположена между двумя неодимовыми магнитами, создающими поперечное магнитное поле ∼ 0.5 Тл, что позволяло регистрировать диаграмму вращения поперечного магнитосопротивления микропровода и таким образом определять ориентацию основных кристаллографических осей микропровода [15]. Использование микропровода в анизотропных термоэлектрических преобразователях, например, намоткой его в плоскую спираль, накладывает определенные требования на ориентацию основных кристаллографических осей микропровода [14,15].…”
Section: Introductionunclassified