Analyse des conditions de croissance de GaxIn(1- x)As/InP par la méthode aux hydrures

Abstract

L'épitaxie de GaxIn(1-x)As/InP est étudiée en phase vapeur par la méthode aux hydrures. Deux séries d'expériences ont été effectuées respectivement, à haute température et basse température. Les résultats obtenus sont interprétés à partir d'une théorie cinétique qui prend en compte les réactions de déchloruration de la surface, le cracking de l'arsine et le non-équilibre entre les espèces As2 et As 4

Selective epitaxial growth of GaAs tips for local spin injector applications

“…The growth of GaAs by HVPE involves gaseous chloride GaCl molecules synthesized inside the reactor by the use of an HCl flow reacting with a Ga metallic source, and arsine gas (AsH 3 ) which is completely decomposed into (As 2 , As 4 ) gaseous molecules when entering the hot wall reactor [20,21]. The global growth reaction for GaAs in an H 2 atmosphere is…”