Resume. Nous pr6sentons une nouveile methode isotherme de caracterisation des d6fauts profonds dans les semiconducteurs Dans cette methode, appeibe FTDLTS (Fourier transform deep-level transient spectroscopy), ie transitoire de capacite considere comme multi-exponentiel est decompos6 en utiiisant deux transformees de Fourier. Le spectre obtenu est ensuite ajuste aux moindres carres par une somme de gaussiennes. Nous decrivons Bgalement les solutions adoptees pour effectuer ie caicui numerique des transformees de Fourier ainsi que la mise oeuvre automatique pilotee par micro-ordinateur de la m6thode. La comparaison des spectres obtenus a partir des mgmes signaux synthhtishs bruit& et non bruites par cette methode et par deux methodes OLTS classiques est presentee. Grace a son meiileur pouvoir separateur, ia methode FTOLTS permet une bonne caracterisation des defauts profonds ayant des constantes de temps voisines. Cette methode est appiiquee a la caracterisation des niveaux profonds d'un bchantilion de GaAs multi-implant6 en oxygene et recuit a 650 ' C.