An Apparatus for the Preparation of Semiconductor Grade Silicon by Film Boiling

Ellis, Ray C.

doi:10.1149/1.2427655

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1964

1972

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Über die Trennung flüchtiger Halogenide durch Oberflächenreaktionen

Gäumann

Lanini

1964

Helvetica Chimica Acta

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Im Zusammenhang mit der Herstellung reinster Metalle durch thermische Zcrsetzung geeigneter Verbindungen spielt die Trennung und Reinigung fluchtiger Halogenide eine wesentliche Rolle [l] 1). Eine in ihrer Spezifitat und Leistungsfahigkeit wenig untersuchte Trennmoglichkeit bieten selektive Umsetzungen zwischen gasformigen Halogeniden und festen (metallischen) Oberflachen [Z]. Aus der Korrosionsforschung liegt ein reiches Tatsachenmaterial iiber derartige Oberflachenreaktionen vor. Beim Einsatz von Gas/Fest-Reaktionen als Trennmethode interessieren jedoch weniger die festen Korrosionsprodukte als die Veranderungen in der Zusammensetzung der Gasphase. Aus der allgemeinen Formulierung Me,Halq) + Me,(,) Me,Hal + Me,,!) i m cal , den bekannten Versuchsvariablen wie Milieu, Menge der Keaktionsteilnehmer, Reaktionstemperatur, und das Bestehen einer Gleichgewichtslage vorausgesetzt, lassen sich solche Umsetzungen aus den Reaktionsenthalpien berechnen [3] (Tabelle 1).

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