Amorphe und polykristalline Halbleiter

Heywang, Walter

doi:10.1007/978-3-642-95447-4

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“…Consequently, they have attracted the interest of many research groups [6][7][8]. Bi 2 Se 3 with hexagonal structure is already used for various applications in thermoelectric devices, such as power generators and coolers [9][10][11][12][13][14]. According to [15], the unit cell of Bi 2 Se 3 consists of three Se-Bi-Se-Bi-Se sequences combined with each other in a rhombohedral structure.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of heat treatment on the electrical and thermoelectric properties of Sb doped Bi₂Se₃

Ibrahim¹,

Hakeem²,

Adam³

et al. 2015

Phys. Scr.

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Polycrystalline samples of (Bi 0.95 Sb 0.05 ) 2 Se 3 were prepared using the conventional melting technique at 1273 K, followed by annealing at different temperatures (423, 473, 523 and 573 K) for different time intervals (4, 8, 12 and 16 h). The samples were crystallized in a single phase of Bi 2 Se 3 and no other phases or impurities were observed. The electrical and thermoelectric properties were studied by measuring the electrical conductivity and Seebeck coefficient as functions of temperature in the range 100-400 K. The results exhibited a metal-n-type semiconductor transition for all samples. The power factor (Pf) was calculated to determine the effect of the annealing treatment on the performance of the prepared material as a thermoelectric power generator. The highest room temperature value of the Pf was 6.9 μWK −2 cm −1 and was recorded for the sample annealed at 573 K for 16 h. The results confirm the feasibility of using the annealing process to improve the performance of thermoelectric materials.

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Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of heat treatment on the electrical and thermoelectric properties of Sb doped Bi₂Se₃

Ibrahim¹,

Hakeem²,

Adam³

et al. 2015

Phys. Scr.

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“…Solche dialogischen Strukturen initiierten und beförderten persönliche Beziehungen der Akteur*innen, die die Reformaktivitäten trugen und zugleich eine von Anerkennung und Wertschätzung getragene Reformatmosphäre ausprägten. Als dritte Gelingensbedingung entwickelten die Akteur*innen im Reformprozess schließlich Kapazitäten (Zeit und Raum) und Kompetenzen für "denkende Erfahrung" /1916vgl. auch Retzl, 2014), um zum einen überhaupt die Erfahrung veränderten professionellen Lehrerhandelns machen und zum anderen die Reformen als rollende Reform reflektierend begleiten und weiterentwickeln zu können (K 4 und K 5).…”

Section: Strukturen Und Handlungsmuster Gelingender Reformprozesseunclassified

Gelingensbedingungen von Schulreform. Bildungshistorische Befunde als Schlüssel zum pädagogischen Verständnis von Schulentwicklungsprozessen und als Erweiterung des Theorienverbundes zur Schulreform

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2023

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Historische Schulforschung und Schulentwicklungsforschung haben an schulischen Reformprozessen zwar ein vergleichbares Forschungsinteresse, stehen aber bislang nicht im wissenschaftlichen Dialog. Gleichwohl existierten nahezu sämtliche Praxen der gegenwärtigen Schul- und Unterrichtsentwicklung bereits in den Schulreformprozessen der historischen Reformpädagogik. Auf der Grundlage von elf bildungshistorischen und schulpädagogischen Quellenstudien wird ein Struktur- und Handlungsmodell gelingender Schulreformprozesse entwickelt, das sich aus der akteursnahen Eigenlogik pädagogisch-praktischer Reformprozesse ableitet. Die Studien analysieren fallorientiert und quellengestützt die Reformpraxen an historischen Reformschulen des 20. Jahrhunderts und geben vertiefte Einblicke in historische Schul(reform)praxis. Bezugspunkt ist dabei jeweils die Einzelschule als pädagogische Handlungseinheit. Die historisch-empirisch entwickelte „Fünf-plus-zwei-K-Struktur gelingender Schulreformprozesse“ wurde an 100 gegenwärtigen Reformschulen überprüft und konnte im Ergebnis in einem Zeitraum von rund einhundert Jahren als wiederkehrend validiert werden. Die Befunde tragen insgesamt zum pädagogischen Verständnis von Schulreformprozessen bei und bilden eine professionsnahe Referenz für die Theoriebildung innerhalb der Schulentwicklungsforschung.

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“…Contacts to the thermo-elements on the basis of thermoelectric material bismuth telluride must have resistance not more than 10 −9 Ohm m 2 , and adhesion strength not less than 8 N/mm 2 [1,2]. Ohmic contacts were fabricated by the vacuum deposition of nickel on the thermoelectric materials Bi 2 Te 2.8 Se 0.2 and Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3 having n-and p-types, respectively.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Technology and Investigation of Ohmic Contacts to Thermoelectric Materials

et al. 2016

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Technology is developed, materials and regimes of the fabrication of ohmic contacts to the effective thermoelectric materials Bi2Te2.8Se0.2 (n-type) and Bi0.5Sb1.5Te3 (p-type) are determined. Ohmic contacts were obtained by the vacuum deposition of nickel. Factors determining adhesion strength and resistivity of fabricated contacts are determined. Process of surface preparation of the thermoelectric materials before the ohmic contact deposition is optimized during the technology development. The use of electrochemical polishing, ultrasound treatment, finish cleaning in toluene and isopropyl alcohol vapor, and annealing in vacuum allowed achieving stable results in the formation of contacts. It was shown that contacts fabricated using of electron-beam evaporation of nickel possess maximum adhesion strength of 18-19 N/mm 2 . It was found that high adhesion is caused by the existence of transition layer in the metal-thermoelectric material contact range, formed due to the interaction of metal with the components of thermoelectric material. Proposed technology allows obtaining ohmic contacts with the resistance of the unit area not exceeding 10 −10 Ohm m 2 .

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Amorphe und polykristalline Halbleiter

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Effect of heat treatment on the electrical and thermoelectric properties of Sb doped Bi₂Se₃

Effect of heat treatment on the electrical and thermoelectric properties of Sb doped Bi₂Se₃

Gelingensbedingungen von Schulreform. Bildungshistorische Befunde als Schlüssel zum pädagogischen Verständnis von Schulentwicklungsprozessen und als Erweiterung des Theorienverbundes zur Schulreform

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Effect of heat treatment on the electrical and thermoelectric properties of Sb doped Bi2Se3

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