AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

Abstract

Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287

Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN

“…В последние годы по-явился значительный интерес к полевым транзисторам на основе GaN, работающим в режиме обогащения (enhancement mode HEMT, E-mode HEMT), предназначенным в основном для применения в цифровой и силовой электронике [4]. Подобные транзисторы можно реализовать различными методами, например путем выращивания гетероструктур с тонким барьерным слоем [4,5], травления барьерного слоя под затво-ром [6,7], имплантации фтора в подзатворную область [8], формирова-ния под затвором области GaN p-типа [9]. Наиболее перспективными являются методы, использующие гетероструктуры с тонким барьерным слоем и травление барьерного слоя под затвором, поскольку они способствуют получению транзисторов с превосходными повторяемыми характеристиками [4,7].…”