Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN

Abstract

Поступило в Редакцию 29 января 2018 г.Предложен метод бездефектного сухого травления барьерного слоя AlGaN, заключающийся в циклическом повторении операций плазмохимического окис-ления AlGaN и удалении образованного оксидного слоя реактивным ионным травлением в индуктивно-связанной плазме BCl 3 . Впервые с использованием предложенной технологии травления изготовлены HEMT AlGaN/AlN/GaN с заглубленным затвором. Показано, что значения токов полученных транзисто-ров не зависят от количества циклов травления, при этом положение рабочей точки по затвору смещается в сторону положительных напряжений (вплоть до транзисторов, работающих в режиме обогащения).

Влияние Металлических Масок На Согласование Нижнего Электрода С Высокочастотным Генератором Смещения При Реактивно-Ионном Травлении Массивных Подложек

“…В технологии микрооптики для формирования микрорельефа элементов с частотой штрихов свыше 500 mm −1 обычно применяется метод реактивно-ионного травления (РИТ), также широко распространенный в микроэлектронике [1][2][3][4]. Такие оптические элементы, как широкоапертурные дифракционные линзы, применяемые для фокусировки лазерного излучения высокой мощности, должны быть изготовлены на массивных пластинах, обеспечивающих высокую лучевую прочность [5].…”