Adsorption of hydrogen and disilane on Si(100) and SiGe surfaces

Reactions of disilane with the deuterium-terminated Ge(100) 2×1 surface

“…Although TPD spectra of hydrogen desorption from Si/Ge alloys with low (ca. 10%) germanium content show two well separated peaks at 280°C and 430°C, it has been shown that for higher germanium concentrations that virtually all of the hydrogen migrates to germanium sites before desorbing [25]. Our TPD data alone, therefore, do not preclude the existence of surface SiH x moieties.…”

Mechanism of thermal decomposition of silanes

“…However, the mechanism of silicon growth on the well-characterised ideal Si (111) and Si(100) surfaces is discussed in numerous studies. Modern methods of the analysis of surface such as thermodesorption, 98 low-energy electron diffraction, 98,100,101 secondary-ion mass spectrometry, 102 scanning tunnelling microscopy, 103 ± 108 reflection high-energy electron diffraction 109 ± 111 are used in these investigations. It was found that two neighbouring dangling bonds participate in elementary reactions of heterogeneous decomposition of mono-and disilane.…”

Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-Ge-=SUB=-x-=/SUB=- в методе Si-GeH-=SUB=-4-=/SUB=- молекулярно-пучковой эпитаксии

“…В качестве источников молекулярных пото-ков наиболее широко применяются источники моно-и дигидридов Si и Ge, обеспечивающих возможность проведения эпитаксии при пониженных температурах. Гидридный метод эпитаксии благодаря присутствию во-дорода в реакторе [6] позволил решить ряд принци-пиальных проблем гетероэпитаксиальной технологии и, в частности, проблему выращивания совершенных пла-нарных слоев германия на кремнии как для устройств быстродействующей транзисторной электроники [1], так и оптоэлектроники [2]. Низкая скорость роста слоев ме-нее V gr < 1 nm/min при температурах ниже 500…”

“…Потоком водорода к подложке из объема реактора установки можно пренебречь, так как из литературы [5,6] известно, что коэффициент захвата водорода поверхностями Si(100) и Ge(100) как минимум на 2 порядка меньше коэффициента захвата данными поверхностями молекул германа.…”