A Thermodynamic Study of the Lead-Antimony System

Seltz, Harry; DeWitt, B. J.

doi:10.1021/ja01265a007

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“…Thermodynamic activities in liquid alloys have been determined by the e.m.f. method [3,[11][12][13][14][15][16]. These measurements agree well within the experimental uncertainty and are reviewed by Hultgren et al [17].…”

Section: Introductionsupporting

confidence: 53%

Thermodynamic investigation of the Pb – Sb system

Hassam

Boa

Fouque

et al. 2009

Journal of Alloys and Compounds

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Section: Introductionsupporting

confidence: 53%

Thermodynamic investigation of the Pb – Sb system

Hassam

Boa

Fouque

et al. 2009

Journal of Alloys and Compounds

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“…In the inlet dopant zone (see Fig. 1 ), Cd and dopant equilibrium concentrations were calculated using either experimental vapor pressure data or an activity coefficient model 29 , 31 , 32 . After the inlet zone, dopant concentration is constant and Cd and Te equilibrium concentrations are determined from vapor pressure data 29 .…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Overcoming Carrier Concentration Limits in Polycrystalline CdTe Thin Films with In Situ Doping

McCandless

Buchanan

Thompson

et al. 2018

Sci Rep

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Thin film materials for photovoltaics such as cadmium telluride (CdTe), copper-indium diselenide-based chalcopyrites (CIGS), and lead iodide-based perovskites offer the potential of lower solar module capital costs and improved performance to microcrystalline silicon. However, for decades understanding and controlling hole and electron concentration in these polycrystalline films has been extremely challenging and limiting. Ionic bonding between constituent atoms often leads to tenacious intrinsic compensating defect chemistries that are difficult to control. Device modeling indicates that increasing CdTe hole density while retaining carrier lifetimes of several nanoseconds can increase solar cell efficiency to 25%. This paper describes in-situ Sb, As, and P doping and post-growth annealing that increases hole density from historic 1014 limits to 1016–1017 cm−3 levels without compromising lifetime in thin polycrystalline CdTe films, which opens paths to advance solar performance and achieve costs below conventional electricity sources.

show abstract

“…Neben den Messungen K a w a k a m i s [4] weichen auch die anderen Ergebnisse erheblich von unseren Daten ah. H u l t g r e n [8] wertete fruhere Messungen der EMK von Seltz und D e W i t t [9] und von E l l i o t und C h i pman [lo] kritisch aus und gab fur die gestrichelt eingezeichnete Kurvc eine Fehlergrenze von :I: 400 Jig-At an. Diese Unsicherheit ist verstandlich, weil unsere Werte tler Mischungswarmen nur etwa 1,5% der freien Enthalpie ausmachen und deshalb bereits innerhalb der Fehlergrenzen der Gleichgewichtsmessung liegen.…”

Section: Die Systeme Rnit Zinn Und Bleiunclassified

Die Mischungswärmen des Antimons mit B‐Metallen: III. Die Systeme mit Zinn und Blei

Wittig

Gehring

1967

Ber Bunsenges Phys Chem

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Die Mischungswärmen und ξ‐Funktionen in diesen Systemen befolgen unsere Regeln für das Verhalten der Systeme der B‐Metalle. Es tritt ein Minimum der ξ‐Funktion in beiden Systemen im Bereich von 40 At‐% Antimon auf, das durch eine etwas festere Bindung bei Kombination der beiden p‐Elektronen des Zinns und Bleis mit den 5 Elektronen des Antimons gedeutet werden kann. Die Randwerte der partiellen Mischungswärme des Antimons haben einen höheren Absolutwert als die Randwerte der beiden anderen Metalle im Sinne der Regeln von Varley und Shimoji. Frühere Messungen in diesen Systemen erwiesen sich als unzuverlässig mit Ausnahme der von Kleppa bestimmten Lösungswarmen von Antimon in Zinn.

show abstract

A Thermodynamic Study of the Lead-Antimony System

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Thermodynamic investigation of the Pb – Sb system

Thermodynamic investigation of the Pb – Sb system

Overcoming Carrier Concentration Limits in Polycrystalline CdTe Thin Films with In Situ Doping

Die Mischungswärmen des Antimons mit B‐Metallen: III. Die Systeme mit Zinn und Blei

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