1979
DOI: 10.1016/0022-3115(79)90596-8
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

A theory of radiation-induced segregation in concentrated alloys

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1

Citation Types

3
133
0
4

Year Published

1990
1990
2018
2018

Publication Types

Select...
5
3

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 305 publications
(140 citation statements)
references
References 4 publications
3
133
0
4
Order By: Relevance
“…interfaces between adjacent components in a composite-are sinks for radiation-induced point defects [6][7][8][9] and may reduce swelling and hardening. In alloys, however, they are the cause of radiation-induced solute segregation (RIS) [10,11], which in turn enhances corrosion and embrittlement. There may, therefore, be a tradeoff between decreasing radiationinduced defect concentrations by increasing their flux to interfaces and decreasing defect fluxes to inhibit RIS.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…interfaces between adjacent components in a composite-are sinks for radiation-induced point defects [6][7][8][9] and may reduce swelling and hardening. In alloys, however, they are the cause of radiation-induced solute segregation (RIS) [10,11], which in turn enhances corrosion and embrittlement. There may, therefore, be a tradeoff between decreasing radiationinduced defect concentrations by increasing their flux to interfaces and decreasing defect fluxes to inhibit RIS.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…We have already applied this type of modeling to RIS in SS 316, and the detailed methodology is described in our previous work [21]. To calculate the Si concentration, we extended the model by additionally considering the solute-interstitial correlation, which was proposed by other researchers [22,23]. The material parameters for the model were given in our previous work [21].…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…Також вважається, що плівка не містить об'ємних стоків точкових дефектів. В результаті опромінення при підвищених температурах локальні концентрації вакансій v C та міжвузельних атомів i C змінюються з часом за законами, які для одновимірного випадку мають вигляд [15]:…”
Section: базова модельunclassified
“…Відмітимо, що 0 K залежить від типу іонізуючого випромінювання, однак в даній роботі ця величина задається довільно. Оскільки в розглянутій моделі відсутні об'ємні стоки точкових дефектів, швидкості 0 K та R для міжвузельних атомів можна вважати рівними швидкостям для вакансій [15]. Для швидкості рекомбінації застосовується вираз [22]:…”
Section: базова модельunclassified
See 1 more Smart Citation