2013
DOI: 10.1134/s1087659613030127
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

A study of tin impurities in crystalline and amorphous silicon by means of Mössbauer spectroscopy

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2016
2016
2021
2021

Publication Types

Select...
4

Relationship

0
4

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(1 citation statement)
references
References 5 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Поэтому исследование влияния наночастиц олова на величину энергетической щели пленок a-С : Н может дать дополнительную информацию о формировании электронной плотности состояний вблизи краев зон. В аморфных полупроводниках добавление примеси в небольших концентрациях не влияет на величину запрещенной зоны, а с увеличением концентрации приводит к ее уменьшению [22][23][24][25][26]. Олово не образует химической связи с атомом углерода, и поэтому наночастицы олова не могут непосредственно участвовать в формировании распределения электронных состояний в зонах.…”
Section: результаты и их обсуждениеunclassified
“…Поэтому исследование влияния наночастиц олова на величину энергетической щели пленок a-С : Н может дать дополнительную информацию о формировании электронной плотности состояний вблизи краев зон. В аморфных полупроводниках добавление примеси в небольших концентрациях не влияет на величину запрещенной зоны, а с увеличением концентрации приводит к ее уменьшению [22][23][24][25][26]. Олово не образует химической связи с атомом углерода, и поэтому наночастицы олова не могут непосредственно участвовать в формировании распределения электронных состояний в зонах.…”
Section: результаты и их обсуждениеunclassified