A study of planar Cd-diffused Pb1−xSnxTe photodiodes

Abstract

A SiO, layer is used as a diffusion mask and passivating layer in preparing planar n-p+ PbSnTe photodiodes by Cd diffusion. These diodes exhibit resist,ance-area products (roA) up to 4 R cm2 and maximum quantum efficiencies of 20% a t 10pm and 82K. I n contrast to other PbSnTe photodetectors the spectral response of these n--p+ photodiodes is mainly determined by the depletion layer, too. By comparing capacitance vs. bias voltage and detectivity vs. wavelength curves measured with the calculated contribution of depletion region to quantum efficiency, ncw information is obtained about some details of the Cd-profile and the photoelectric effect near the n-pi junction.Si0,-Schichten konnen als Diffusionsmaske und Passivierungsschicht bei der Herstellung planarer Cd-diffundierter PbSnTe-Photodioden eingesetzt werden. Die realisierkn Diodcn weisen Nullpunktswiderstand-Flachen-Produkte (roA) bis zu 4 Rcm2 und maximale Quantenausbeuten bis 20% fur 10 pm und 82 K auf. Im Gegensatz zu anderen bekannten PbSnTe-Detektoren wird die spektrale Empf indlichkeit dieser n-p+-Photodioden wesentlich auch durch die Dimensionierung der Raumladungszone bestimmt. Aus dem Vergleich der gemcssenen KapazitLts-Sperrspannungsund Detektivitkts-Wellenlangen-Abhangigkeiten mit berechneten Werten des Reitrages der Raumladungszone zur Quantenausbeute ergebcn sich neue Informationen iiber Details des Cd-Profils und zum photovoltaischen Effekt in unmittelbarer Nahe des n-p'-uberganges.

МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--=SUP=-*-=/SUP=-

“…Управляемая составом малая ширина запрещенной зоны E g явилась основой для разработки в 80-х годах прошлого века инфракрасных (ИК) фотодиодов (ФД) на основе PbSnTe. Сильное влияние на параметры ИК ФД токов поверхностных утечек, отмеченное, например, в [1][2][3], стимулировало исследование свойств поверхности и методов ее пассивации.…”