2009
DOI: 10.1016/j.solmat.2009.01.018
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

A simple and cost-effective approach for fabricating pyramids on crystalline silicon wafers

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

1
38
0
1

Year Published

2009
2009
2021
2021

Publication Types

Select...
7
2

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 104 publications
(45 citation statements)
references
References 15 publications
1
38
0
1
Order By: Relevance
“…Химическая обработка пластин заключалась в последовательном прохождении кассеты с 24 пласти-нами через ванны с химическими растворами и включала следующие основные стадии: очистку поверхности от загрязнений; текстурирование в щелочном растворе KOH с добавлением поверхностно-активной добавки (изопропилового спирта) -формирование пирамидальной морфологии; финишную очистку. Стадии химической обработки более подробно рассмотрены в работах [2,3]. Последующие этапы форми-рования HIT-структуры заключались в нанесении слоев аморфного кремния методом газофазного осаждения (PECVD), напылении про-зрачных проводящих электродов (оксид индия-олова) и формировании контактной сетки.…”
Section: поступило в редакцию 16 сентября 2016 гunclassified
“…Химическая обработка пластин заключалась в последовательном прохождении кассеты с 24 пласти-нами через ванны с химическими растворами и включала следующие основные стадии: очистку поверхности от загрязнений; текстурирование в щелочном растворе KOH с добавлением поверхностно-активной добавки (изопропилового спирта) -формирование пирамидальной морфологии; финишную очистку. Стадии химической обработки более подробно рассмотрены в работах [2,3]. Последующие этапы форми-рования HIT-структуры заключались в нанесении слоев аморфного кремния методом газофазного осаждения (PECVD), напылении про-зрачных проводящих электродов (оксид индия-олова) и формировании контактной сетки.…”
Section: поступило в редакцию 16 сентября 2016 гunclassified
“…Chu et al [13] proposed a simple and cost-effective approach for texturing crystalline silicon wafers without surfactant added in alkaline etchants.…”
Section: Alkali Hydroxide Etchants Without Isopropyl Alcohol (Ipa)mentioning
confidence: 99%
“…The chemical solution was used for removing surface defects, control of pyramid angles and to etch polycrystalline (CP144) silicon wafer [13,18]. The mixing ratio was chosen so that the aspect ratio and angle obtained from MACE could be maintained [14,17]. The etching rate was 2 μm/min and the maximum etching time was 3 min to have an aspect ratio of 1:1.…”
Section: Deep Funnel Shaped Structurementioning
confidence: 99%
“…The low reflectance was caused by higher light trapping and light path through porous layer. However, it had relatively higher reflectance in the longer wavelength range as it was less affected by surface structural characteristics [16][17][18]. As a result of highly porous layer on the surface, lower reflectance occurred at deep places.…”
Section: Deep Funnel Shaped Structurementioning
confidence: 99%