A silicon x- and gamma-ray detector for room temperature and low voltage operation

Yabe, Massaya; Sato, Noritada; Kamijo, Hiroshi; Takechi, Toshiaki; Shiraishi, Fumihidé

doi:10.1016/0029-554x(82)90674-7

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“…Bestenergy resolutions are obtained with ultra-pure Ge or Si diodes of small size (area < 100 mm2) operating at low temperature as these diodes then exhibit the best charge collection properties (mobility of charge carriers x carrier lifetime) (10). Room temperature operation is even possible for Si, AsGa, CdTe and Hg12 but with rather poor energy resolutions except for Hg12 in the soft X-ray range (10,11,12).…”

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confidence: 99%

A SILICON PHOTODIODE ARRAY DETECTOR COVERING A LARGE SOLID ANGLE FOR FLUORESCENCE EXAFS MEASUREMENTS FROM 2 TO 25 keV

et al. 1986

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RESUME On montre qu'un rcseau de quatre photodiodes en silicium utilisges en mode photo-voltaFque prgsente de rQels avantages sur les autres types de dgtecteurs de fluorescence: grande efficacitg, r6ponse parfaitement lingaire, compatibilitg avec les techniques de vide pour les utilisations dans le domaine des RX mous, absence d'alimentation en tension et de gaz. Les diodes doivent Gtre refroidies jusqu'a Q ,-120°c afin de rQduire leur courant dlobscurit& et le bruit thermique de la rQsistance Qquivalente de shunt. On pr6sente des spectres typiques d'une solution diluge de cytochrome c et d'un liquide extrsmement absorbant dans le domaine des rayons X mous : c2c14* .

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