A method of investigation of heterostructure for junction lasers based on photoluminescence measurements

Abstract

A four layer GaAs-AI,Gal -,As heterostructure photoluminescence spectrum mcasurcd a t 77K has been compared with t,he results of investigations concerning the composition of this heterostrncture, performed by using the electron microprobc JXA-BOA. The application of photoluminescence irivcstigations of such heterostruct,ures as a simple and convcriient control method that can be used during the performance of a heterostructurc laser has been proposed.Das bei 77K gemessene Photolumineszenzspektrnm einer Vierschicht-GaSs--Al,Ga~ -,AsHetcrostruktur wurde mit Untersuchungsergebnissen uber die Zusammensetzung dieser Heterostruktur verglichen uriter Anwendung der Elektronenmikrosoride JXA-50A. Die Anwendung von Lumineszenzuntersuchungen solcher Heterostrulrturen als eine cinfache und bequeme Kontrollmethode, die wahrend der Herstellung einer Heterostrukturlasers vorgenommen werden kann, wird vorgesehlagen.