1983
DOI: 10.1143/jjap.22.l709
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

A Large Barrier Height Schottky Contact between Amorphous Si–Ge–B and GaAs

Abstract: The coupling between the CuO 2 layers has been studied in a series of six TmBa 2 Cu 3 O y (6.40 y 6.90) single crystals, together with a YBa 2 Cu 3 O 6.9 and a Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 crystal, in terms of the magnetically measured interlayer critical current. The Ginzburg-Landau thermodynamic anisotropies have been estimated too. As oxygen is removed, the coupling weakens and both and the anisotropy between inter-and intralayer critical current densities, , increases rapidly. The current anisotropy appears to be … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2

Citation Types

0
0
0
4

Year Published

1988
1988
2018
2018

Publication Types

Select...
3
3

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 9 publications
(4 citation statements)
references
References 5 publications
0
0
0
4
Order By: Relevance
“…Электрофизические свойства контакта кремния с плёнками различных аморфных сплавов изучены в работах [1, 3,[17][18][19]. Подобные исследования в случае контакта GaAs c аморфными металлическими материалами проводились в [20,21,24].…”
Section: и г пашаевunclassified
See 3 more Smart Citations
“…Электрофизические свойства контакта кремния с плёнками различных аморфных сплавов изучены в работах [1, 3,[17][18][19]. Подобные исследования в случае контакта GaAs c аморфными металлическими материалами проводились в [20,21,24].…”
Section: и г пашаевunclassified
“…В работе [24] изучались полевые транзисторы с затвором Шоттки. Барьер Шоттки образовывался между аморфным сплавом Si-Ge-B и GaAs.…”
Section: и г пашаевunclassified
See 2 more Smart Citations