A high power density TaN/Au T-gate pHEMT with high humidity resistance for Ka-Band applications

Amasuga, Hirotaka; Goto, S.; Shiga, T.; Totsuka, Masahiro; Kunii, T.; Oku, Tatsuya; Ishikawa, T.; Matsuda, Yoshihisa

doi:10.1109/mwsym.2005.1516745

Cited by 9 publications

(3 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In the recent past, researchers have shown deep interest in experimental evaluation of the performance of several types of electronic equipment; e.g. capacitors [16], Tx lines [17], random-access-memory (RAM) [18], laser [19], photodiodes [20] and PA [21][22][23][24][25] under different environmental conditions. Most of those works are focused on the humidity and temperature effects on the lifetime of devices.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Experimental investigation on the performance degradations of the GaN class-F power amplifier under humidity conditions

Zhou

2021

Semicond. Sci. Technol.

View full text Add to dashboard Cite

To investigate the humidity dependency of the specifications for a GaN class-F power amplifier (PA), humidity experiments are conducted in the Vötsch Industrietechnik SC3 1000 MHG environmental test chamber. The experimental results show that the key specifications of the PA, such as the output power and power-added efficiency, the large-signal gain, and the drain current show degradation as humidity increases. The reason for this degradation may be the reduction of the 2DEG mobility density due to surface degradation at AlGaN recess regions caused by diffusion phenomena of Ga, and Al. The results concluded here would be helpful for the PA designers to understand the humidity effects on the key specifications for the GaN class-F PA comprehensively, so that the designers could consider the effects on the design cycle of the compensation circuits in advance.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Experimental investigation on the performance degradations of the GaN class-F power amplifier under humidity conditions

Zhou

2021

Semicond. Sci. Technol.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Двухстороннее δ-легирование позволило повысить кон-центрацию двумерного электронного газа (ДЭГ) до 2 · 10 12 см −2 [2], получение резких и гладких гетеро-границ GaAs/InGaAs квантовой ямы (КЯ) -канала транзистора [3,4], установление оптимального расстоя-ния между δ-слоями и КЯ [5,6], применение составных спейсеров [7,8], использование широкозонных AlAs вста-вок в КЯ [9,10] позволили уверенно получать подвиж-ность электронов свыше 7000 см 2 /В · с при комнатной температуре. Несмотря на все эти значительные усилия, удельная выходная мощность pHEMT -p out долгое время не могла преодолеть порог 1 Вт/мм в частот-ном диапазоне 10−30 ГГц [11][12][13]. Кардинальное увели-чение p out произошло после создания гетероструктур с донорно-акцепторным легированием (donor-acceptor doped pHEMT, DA-pHEMT) [14], которые позволили увеличить p out до 1.7 Вт/мм [15].…”

Section: Introductionunclassified

Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев

Протасов¹,

Бакаров²,

Торопов³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследовано влияние профиля распределения атомов кремния в донорных δ-слоях гетероструктур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с донорно-акцепторным легированием на подвижность двумерного электронного газа. Параметры профилей δ-слоев определялись путем аппроксимации нормальным распределением про-странственных распределений атомов кремния, измеренных методом вторичной ионной масс-спектроскопии. Показано, что соответствующим выбором условий роста значение стандартного отклонения σ профиля δ-слоев было уменьшено с 3.4 до 2.5 нм. Измерения магнитополевых зависимостей эффекта Холла и проводимости позволили установить, что в результате такого уменьшения σ подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах возросла на 4000 см 2 /В · с при 77 K и 600 см 2 /В · с при 300 K. Проведенный расчет подвижности с учетом заполнения двух первых подзон размерного квантования показал, что возрастание подвижности хорошо объясняется ослаблением кулоновского рассеяния на ионизированных донорах вследствие увеличения эффективной толщины спейсерного слоя при уменьшении значения σ профиля δ-слоев.

show abstract

“…Recently, high operating voltage high power pHEMTs were developed for the millimeter-wave high power amplifiers [1,2]. To enhance power density, such devices have longer gatedrain length Lrd to achieve high breakdown voltage.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A Nonlinear Drain Resistance pHEMT model for Millimeter-wave High Power Amplifiers

Inoue

Amasuga

Goto

et al. 2008

2008 European Microwave Integrated Circuit Conference

View full text Add to dashboard Cite

A high power pHEMT with longer drain-gate separation can operate at higher voltage. However, it shows large output power loss at millimeter-wave in addition to the conventional parasitic power dissipation. The nonlinear drain resistance Rd of the pHEMT is found to cause the large power loss, although it behaves as a conventional resistor at low frequency. The nonlinearity of the Rd is modeled and shows good agreement with the measurement.Comparisons of pHEMTs with different nonlinear Rd also support the model.

show abstract

A high power density TaN/Au T-gate pHEMT with high humidity resistance for Ka-Band applications

Cited by 9 publications

References 10 publications

Experimental investigation on the performance degradations of the GaN class-F power amplifier under humidity conditions

Experimental investigation on the performance degradations of the GaN class-F power amplifier under humidity conditions

Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев

A Nonlinear Drain Resistance pHEMT model for Millimeter-wave High Power Amplifiers

Contact Info

Product

Resources

About