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Abstract

An extended bibliographical analysis first allows one to establish that the method of graphical determination of gap state parameters, from Arrhenius plots of either conductivity or carrier densities, is very commonly substituted for exact methods of computer simulations of equations associated with the invoked models. Second, and in order to show the scope of risks incurred in this graphical method, models proposed by some authors to interpret their experimental curves are simulated exactly. Comparison of results with those curves generally shows large discrepancies in either curve shapes or parameter values (activation energies, densities of states). Other models are then proposed, allowing good fitting of experimental data. Hence, concrete illustration of the largely misappreciated, misleading character of the graphical method is given.

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“…(ii) Quels types de solutions peut-on attendre des équations (8), avec des valeurs plausibles des paramètres, et quelles sont alors les formes de σ (ω) qui en découlent?…”

“…Des états ou des bandes d'états donneurs et accepteurs, encadrant convenablement E F sans le contenir, peuvent produire le même effet, pour un taux de compensation quelconque. Le recours à la loi de Mott en T −1/4 lorsqu'elle est applicable à la conductivité continue, pour justifier la concentration des états localisés autour de E F , n'est pas non plus un argument décisif, dans la mesure où nous avons montré aussi [8] que cette loi peut être également obtenue avec une excitation thermique depuis une queue de bande vers les états étendus. Une distinction aussi abrupte que celle qui est généralement adoptée, entre états pleins et états vides, peut alors difficilement être maintenue en l'état.…”