6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application

Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 μm с туннельным переходом на основе слоев n-=SUP=-++-=/SUP=--InGaAs/p-=SUP=-++-=/SUP=--InGaAs/p-=SUP=-++-=/SUP=--InAlGaAs

“…Для дальнейшего снижения уровня внутренних потерь, связанных с поглощением в слоях ТП, было предложено заменить слой n ++ -InGaAs на оптически прозрачный слой n ++ -InAlGaAs. Такой ТП n ++ / p ++ -InAlGaAs был успешно апробирован в ВИЛ спектрального диапазона 1.55 µm с инжекцией носителей через внутрирезонаторные контактные слои в сочетании с РБО AlGaAs [10,11]. Следует отметить, что для заращивания меза-структуры в туннельном переходе во всех случаях использовалась технология ГФЭ МОС.…”

Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs

“…В результате проведенных исследований лазеров полосковой конструкции показано, что активная область на основе короткопериодной сверхрешетки In 60 Ga 0.40 As/In 0.53 Ga 0.27 Al 0.20 As обладает большим усилением при равных значениях плотности тока в сравнении с активной областью на основе 7 механически напряженных КЯ In 0.74 Ga 0.26 As. Таким образом, использование в длинноволновых ВИЛ спектрального диапазона 1535−1565 nm активной области на основе короткопериодной сверхрешетки может привести к повышению динамических характеристик ВИЛ, уменьшению величины порогового тока по сравнению с длинноволновыми ВИЛ, где в качестве активной области используется набор КЯ [4].…”

“…То есть значительная часть активной области с КЯ или КТ в случае ее применения для ВИЛ не участвует в усилении света. К тому же характерные плотности пороговых токов ВИЛ спектрального диапазона 1300−1550 nm составляют 3−5 kA/cm 2 [4], что соответствует области насыщения оптического усиления для гетероструктур с КЯ или КТ, и преимущество использования гетероструктур пониженной размерности для ВИЛ теряется.…”

Влияние Потерь На Вывод Излучения На Динамические Характеристики Вертикально-Излучающих Лазеров Спектрального Диапазона 1.55 Мкм, Изготовленных Методом Спекания Эпитаксиальных Пластин

“…Изготовленные по такой технологии ВИЛ спектрального диапазона 1.5 мкм демонстрируют частоту эффективной модуляции 7−9 ГГц и безошибочную передачу данных на скорости 10 Гбит/с при температуре 20 • C [6]. Сравнительно недавно с использованием метода спекания пластин нами была продемонстрирована возможность создания эффективных ВИЛ спектрального диапазона 1.55 мкм на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs КЯ, пригодных для безошибочной передачи данных на скорости не менее 25 Гбит/с при температуре 20 • C [7,8]. При этом в ряде работ была показана важность контроля времени жизни фотонов в резонаторе для снижения эффекта демпфирования релаксационных колебаний и повышения быстродействия ВИЛ ближнего ИК-диапазона [9,10].…”