Manufactured silicon diode used as an internal conversion electrons detector

Abstract

In this work we have studied the direct detection and spectrometric capabilities for internal conversion electrons of an ion-implanted diode, developed in the framework of R&D programs at CERN, envisaging its use in an electron-gamma coincidence system for nuclear parameters measurements. The best energy resolution obtained until now, 12.6 keV (FWHM) for the 133 Ba 320.32 keV electron emission, is sufficiently good to justify the use of this diode for spectrometry of low energy electrons.

"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

“…A experiência do nosso grupo no estudo das condições de resposta de fotodiodos de Si (SFH00206 da Siemens e S3590-06 da Hamamatsu) para detecção de partículas carregadas utilizando eletrônica nuclear convencional [28][29][30][31][32][33] As necessidades do IPEN de aperfeiçoar as técnicas de detecção de partículas carregadas nos motivaram a realizar essa pesquisa visando construir um espectrômetro alfa com resolução em energia para aplicação futura em medidas da abundância de isótopos pesados emissores alfa e a possibilidade de garantir técnicas de controle ambiental mais precisas.…”