"Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"

Abstract

IIDedico este trabalho à minha família, em especial para meus pais; à minha namorada e seus pais; aos meus amigos e a Deus. III AGRADECIMENTOSGostaria expressar os meus mais sinceros votos de gratidão a todos aqueles que de uma forma ou de outra contribuíram para a execução desta dissertação de mestrado. Em particular, desejo agradecer: À Profa. Dra. Carmen Cecília Bueno Tobias (IPEN-CNEN/SP e PUC/SP) pelas exaustivas discussões, dedicação, amizade e orientação nesta etapa tão importante da minha vida e por todos os ensinamentos a mim transmitidos, que transcendem as barreiras acadêmicas chegando ao plano pessoal, desde os meus primeiros passos no mundo da pesquisa científica sempre me incentivando a atingir os meus objetivos de vida. À Profa. Dra. Josemary Angélica Correia Gonçalves (IPEN-CNEN/SP e PUC/SP) pelas orientações, amizade e dedicação do seu precioso tempo em sempre estar pronta a ajudar, colaborar e instruir-me pelos caminhos corretos do meio científico, além de toda a atenção dispensada nas correções e sugestões a esta dissertação. Ao Prof. Dr. Marcello Damy de Souza Santos (IPEN-CNEN/SP) pelo prazer de conhecê-lo e de poder desfrutar da sua elevada sabedoria e filosofia acadêmica implantada no grupo de pesquisa, que perduram até os dias atuais, com sua humildade, educação e respeito ao próximo. Ao Prof. Dr. Paulo Reginaldo Pascholati (IF-USP) por ter disponibilizado toda a infraestrutura do LAL/IF-USP e pelo voto de confiança em mim depositado. Ao Prof. Dr. Jiro Takahashi (IF-USP) pelas valiosas discussões elucidativas e ensinamentos transmitidos sobre os meandros da mecânica de precisão e pela confecção do posicionador micrométrico da fonte radioativa.

Desenvolvimento do cristal semicondutor de Brometo de Tálio para aplicações como detector de radiação e fotodetector

“…A resolução em energia para um detector semicondutor é determinada pela combinação de diversos fatores. A coleta parcial de cargas, o ruído eletrônico gerado no sistema de amplificação, dos sinais elétricos, o empilhamento de impulsos para altas taxas de contagens, a corrente de fuga, entre outros, influenciam na distribuição dos impulsos, contribuindo para o alargamento do pulso e deteriorando a resolução (37) .…”

“…Qualquer um destes processos mencionados diminui a vida média dos portadores de carga gerados no cristal. Para que uma grande fração dos pares elétronlacuna produzidos seja coletada é necessário que o tempo de coleta seja desprezível diante da vida média desses portadores de carga (3,28,37) . A eficiência da coleção dos portadores pode ser melhorada simplesmente aumentando a tensão aplicada.…”

“…A temperatura de um semicondutor afeta diretamente a geração térmica de portadores de carga e, portanto, a corrente de fuga do detector. Com o resfriamento, a corrente e o ruído eletrônico do sistema de detecção são reduzidos o que deve, dentro de certos limites, resultar em melhora na resolução em energia (37) . Não era intuito deste trabalho fazer esse tipo de análise, já que o objetivo é o desenvolvimento de detectores com boa resolução energética operando à temperatura ambiente.…”

Fabricação e caracterização de detector de Barreira de superfície a partir de substrato de silício comercial

“…Esta característica é de extrema importância do ponto de vista de detecção da radiação, uma vez que aumentando a região de depleção, aumenta o volume útil de detecção do detector. A eficiência do detector nestas circunstâncias aumenta pelo maior volume de detecção e pelo maior potencial de aceleração que coleta melhor os portadores de carga [31,33,34,35,36,40,46] .…”