EMI conduzida gerada por conversores estáticos aplicados à correção do fator de potência

Abstract

Conducted EMI Yield by Static Converters Applied to Power Factor CorrectionThis paper investigates the conducted electromagnetic interference (EMI) yielded by power converters used power factor correction.The topologies discussed in this paper are the boost, interleaved boost and dual boost converters. An analysis of the conducted noise behavior of differential mode and common mode in the converters are presented. All converters are designed in a way that the total harmonic distortion of the input current are same, in order to use the same input filter. It is presented the EMI filter design in order to adapt the converters as the standard of electromagnetic interference, CISPR. Experimental results of converters operating in power factor correction for a load of 300W is presented, as well as, experimental results of EMI analyzing the impact of the use of EMI filter, the alteration of the gate resistance of the semiconductor switches and changed in the configuration of the inductor boost for dual boost topology. RESUMOEste trabalho investiga a interferência eletromagnética (EMI) conduzida gerada por conversores estáticos aplicados a correção do fator de potência. As topologias discutidas neste artigo são os conversores boost, boost intercalado e dual boost. Uma análise do comportamento dos ruídos conduzidos de modo diferencial e de modo comum nos conversores são apresentados. Os conversores são projetados de forma que a taxa de distorção harmônica da corrente de entrada seja a mesma, com o objetivo de usar o mesmo filtro de EMI de entrada. É apresentado o projeto do filtro de EMI com o objetivo de adequar os conversores a norma de interferencia eletromagnética (CISPR 22). Resultados experimentais dos conversores operando na correçao do fator de potência para uma carga de 300W são apresentados, bem como, resultados experimentais de EMI analisando-se o impacto da utilização do filtro de EMI, da alteração da resistência de gate das chaves semicondutoras e alteração da configuração do indutor boost na topologia dual boost.