Анотація. У четвертій із серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, докладно розглянута 2D електростатика MOS. Показано, що вона погіршує характеристики транспорту електронів у польових транзисторах, збільшуючи підпороговий розкид і викликаючи ефект зниження бар'єру, зумовлений Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха 20 стоком (DIBL), який у свою чергу збільшує вихідну провідність і зменшує граничну напругу в короткоканальних транзисторах. Такі ефекти називають ще ефектами короткого каналу. Мірою того, як транзистори робляться дедалі мініатюрнішими, основний виклик, який постає перед схемотехніками, полягає в контролі над короткоканальними ефектами. Зазвичай для цього потрібне чисельне моделювання.
Анотація. У третій із серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, розглянуто фізику процесів у напівпровідниковій підкладці MOSFET. Ця фізика визначається вигином зон, що залежить від поверхневого потенціалу S ψ , який у свою чергу визначається напругою на затворі G V . Ми одержали Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха 6 достатньо загальну формулу, що пов'язує G V з S ψ . Ми розглянули поведінку S Q ψ ∝ і G Q V ∝ також для цілком іншої структури MOS, структури з виключно тонкою кремнієвою підкладкою (Extremely Thin Silicon-On-Insulator/ETSOI), що характерна для теперішньої тенденції мініатюризації транзисторів. Ми пересвідчилися, що основні особливості структури ETSOI подібні до властивостей масивної структури MOS.
Àííîòàöèÿ. Äèàãðàììà çàðÿäîâîé ñòàáèëüíîñòè îäíîýëåêòðîííîãî ïîëåâîãî òðàíçèñòîðà íà ìîëåêóëå áåíçîëà â êà÷åñòâå ïðîâîäÿùåãî êàíàëà â ðåaeèìå êóëîíîâñêîé áëîêàäû ðàñ-ñ÷èòàíà èç ïåðâûõ ïðèíöèïîâ. Ýíåðãèè èîíèçàöèè ìîëåêóëû âû÷èñëÿëèñü êâàíòîâîìåõà-íè÷åñêè ïî òåîðèè ôóíêöèîíàëà ïëîòíîñòè, âçàèìîäåéñòâèå ìîëåêóëû áåíçîëà ñ åå îêðó-aeåíèåì â ðåàëèñòè÷åñêîé ìîäåëè òðàíçèñòîðà ó÷èòûâàëîñü ñàìîñîãëàñîâàíî. Àíîòàö³ÿ. ijàãðàìà çàðÿäîâî¿ ñòàá³ëüíîñò³ îäíîåëåêòðîííîãî ïîëüîâîãî òðàíçèñòîðà íà ìîëåêóë³ áåíçîëó â ÿêîñò³ ïðîâ³äíîãî êàíàëó â ðåaeèì³ êóëîí³âñüêî¿ áëîêàäè ðîçðàõîâàíà ç ïåðøèõ ïðèíöèï³â. Åíåð㳿 çàðÿäaeàííÿ ìîëåêóëè îá÷èñëþâàëèñÿ ïî êâàíòîâîìåõàí³÷í³é òåî𳿠ôóíêö³îíàëà ù³ëüíîñò³, âçàºìîä³ÿ ìîëåêóëè ç ¿¿ äîâê³ëëÿì â ðåàë³ñòè÷í³é ìîäåë³ òðàí-çèñòîðà âðàõîâóâàëàñÿ ñàìîóçãîäaeåíî.Êëþ÷îâ³ ñëîâà: ìîëåêóëÿðíà åëåêòðîí³êà, ïîëüîâèé òðàíçèñòîð, êóëîí³âñüêà áëîêàäà, áåíçîë, SET, MS-SET, DFT
QUANTUM-MECHANICAL CALCULATION OF SINGLE-ELECTRON FIELD TRANSISTOR ON BENZENE MOLECULE
Yu. A. Kruglyak, N. E. KruglyakAbstract. The first-principle methods for calculating the charging molecular energies and charge stability diagram of the benzene molecule single-electron transistor under the Coulomb blockade regime were applied using the density-functional theory for modeling molecular properties and continuum model to describe SET environment as well as a self-consistent approach to treat the interaction between the molecule and the SET environment.
Non-equilibrium Green's functions method in matrix form is presented with further application to modeling of transport problems in the frame of the «bottom-up» approach of nanoelectronics.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.