Для радиотехнических устройств на основе наноразмерных многослойных полупроводниковых гетероструктур актуальна проблема обеспечения надежности вследствие чувствительности параметров гетероструктуры к процессам деградации ввиду малости толщин слоев. В данной работе проведены исследования термической деградации AlAs/GaAs наногетероструктуры и партии резонансно-туннельных диодов с использованием методов ИК-спектральной эллипсометрии и ускоренного старения полупроводниковых устройств. В результате определены активационные параметры диффузии (энергия активации и предэкспоненциальный множитель) Al и Si в резонансно-туннельной структуре и приконтактных областях и зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов от времени и температуры. Полученные в настоящей работе числовые характеристики основных деградационных процессов могут быть использованы для прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов и нелинейных преобразователей радиосигналов на их основе.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
customersupport@researchsolutions.com
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.