Проведены исследования модуляции поляризованного света структурами с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях. Представлены результаты экспериментального исследования спектра изменения показателя преломления структуры продольным электрическим полем в области межподзонного резонанса. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44211.8400
Pассмотрены экспериментальные и теоретические результаты исследования оптического поглощения легированных структур с квантовыми точками Ge/Si в дальнем инфракрасном диапазоне, соответствующем энергиям переходов дырок из основного в нижнее возбужденное состояние размерного квантования. В рамках адиабатического приближения построена аналитическая теория размерного квантования дырок в линзообразной квантовой точке с учетом парного кулоновского взаимодействия. Показано, что наличие взаимодействия не оказывает влияния на частоты нижних межуровневых резонансов, что является отражением реализации обобщенной теоремы Кона благодаря специфической геометрии квантовой точки. Экспериментальные и теоретические значения энергии переходов находятся в хорошем согласии. ВведениеИнтерес к структурам с квантовыми точками (КТ) Ge/Si обусловлен в первую очередь, их совместимостью с существующей кремниевой технологией. В ряде ра-бот [1] показано, что КТ Ge/Si обладают как привлека-тельными люминесцентными свойствами, так и фотопро-водимостью в области энергий кванта излучения, мень-шей ширины запрещенной зоны кремния. Это открывает широкие возможности по использованию таких струк-тур в качестве материалов активной элементной базы для оптических межсоединений в микроэлектронике [2]. В недавней работе [3] сообщается о наблюдении при комнатной температуре стимулированного излучения вблизи 1.3 мкм из частично аморфных германиевых КТ в кремниевой матрице внутри микродискового резонатора при оптической накачке.Оптические свойства КТ Ge/Si в средней инфракрас-ной (ИК) области также представляют существенный интерес в связи c потенциальными возможностями ис-пользования их для фотоприемников на этот диапа-зон [4,5]. В этом спектральном диапазоне привлекают внимание внутризонные оптические явления, связанные с переходами дырок между размерно-квантованными состояниями валентной зоны КТ, на которую приходится большая часть разности в ширине запрещенной зоны германия и кремния. При этом интерфейс квантовой точ-ки формирует сильное квантовое ограничение для дырок внутри КТ, тогда как электроны могут быть только слабо локализованы на кремниевой части интерфейса за счет изгибов зоны проводимости, вызванных наличием остаточных упругих напряжений [6].Несмотря на большое количество исследований кван-товых точек на основе этой системы материалов, изу-чению оптических свойств КТ Ge/Si в дальней ИК спектральной области уделялось мало внимания. При этом в данной спектральной области находятся энергии оптических переходов дырок из основного состояния в нижние возбужденные состояния КТ, изучение ко-торых позволяет исследовать некоторые особенности, связанные с распределением дырок по состояниям КТ с неоднородным уширением, что может быть важным при анализе работы оптоэлектронных приборов.В данной работе мы приводим результаты эксперимен-тального исследования спектров оптического поглоще-ния легированных структур с квантовыми точками Ge/Si в дальней ИК области, а также аналитическую теорию межуровневого поглощения света на нижнем внутризон-ном резонансе с уче...
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.