Исследовано влияние ионной бомбардировки, производимой на воздухе, на электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS при температуре кипения жидкого азота (T=77 K). Показано, что бомбардировка кристаллов приводит к существенному росту фоточувствительности в области края поглощения, а также к росту их темновой проводимости. При этом количественные изменения в темновой проводимости значительно превосходят изменения в фоточувствительности всех исследованных образцов. Наблюдаемые изменения тонкой (экситонной) структуры свидетельствуют о поверхностном характере воздействия ионов на полупроводник. Обнаруженные изменения связываются с поверхностным легированием исследуемых полупроводников донорами с помощью ионной бомбардировки. Применяемая методика бомбардировки может быть использована в практических целях с целью модификации электрических свойств полупроводников, принадлежащих к соединениям АIIВVI. Ключевые слова: ионная бомбардировка, спектры фотопроводимости, кристаллы CdS, вольт-амперная характеристика, тонкая структура.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
customersupport@researchsolutions.com
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.