Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией EU=50 мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.