Проведено моделирование влияния интенсивности ионизирующего облучения на объемный заряд и плотность поверхностных состояний МОП-структур с тонким подзатворным диоксидом кремния. Показано, что зависимости плотности поверхностных состояний и объемного заряда от суммарного времени ионизирующего облучения и последующей выдержки при разных интенсивностях ионизирующего облучения ложатся на соответствующие общие кривые Nit(t) и Qot(t). Общая кривая Nit(t) обусловлена дисперсионным характером транспорта ионов водорода H+. Наблюдаемые отклонения от общей кривой Nit(t) непосредственно после окончания ионизирующего облучения связаны с переходным процессом перераспределения ионов H+. Общая кривая Qot(t) обусловлена релаксацией объемного заряда по механизму термоэмиссии с системы уровней с энергиями 0.3-1.0 эВ. Показано, что повышенная чувствительность к малым дозам ионизирующего облучения (ELDRS) МОП-структур с толстым базовым оксидом при низких интенсивностях определяется дисперсионным характером транспорта ионов H+. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, поверхностные состояния, объемный заряд, дисперсионный транспорт, моделирование.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.