Wavefunctions of electron have been calculated for conduction band of zero-gap HgCdTe alloy with Coulomb acceptor. Energies of resonant states have been estimated.
Выполнен анализ положения уровня Ферми в объемном HgCdTe с долей кадмия от 19 до 22% в зависимости от температуры для различных концентраций вакансий ртути, формирующих двухзарядные акцепторы с энергиями ионизации 11 и 21 мэВ для нейтрального и однократно заряженного состояний соответственно. Рассчитана концентрация свободных носителей в зонах при различных температурах, а также доля акцепторных центров в различных зарядовых состояниях. Полученные результаты объясняют быстрое температурное гашение фотопроводимости, обусловленной вакансиями ртути, и показывают, что в материале p-типа в зависимости проводимости от температуры может возникать участок экспоненциального роста с характерной энергией значительно больше половины ширины запрещенной зоны при нулевой температуре, как это можно было бы ожидать из закона действующих масс для собственного полупроводника. Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, уровень Ферми, двухзарядные акцепторы.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.