A brief analysis of the most common methods for producing multicomponent alloys, including high-entropy alloys (HES), is presented in terms of their use as an alternative to coatings made of traditional structural metal materials. Preliminary studies of the microstructure and phase composition of the coating obtained by plasma deposition of FeCoCrAlTiCuMo powder in the equiatomic ratio of components are presented . The results of the research showed the possibility of obtaining a multicomponent single-phase solid solution by plasma sputtering and indicated the feasibility of its further study.
Суб-100-нм КМОП-технология с high-k подзатворным диэлектриком -одна из базовых технологий изготовления цифровых, аналоговых и радио-частотных СБИС и систем на кристалле.В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45-нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по техно-логии на объемном кремнии и КНИ. Указаны эффекты, возникающие при замене диэлектрика SiO 2 на high-k диэлектрик. Описан выбор и настройка физических моделей для моделирования МОП-транзисторов с high-k ди-электриком в системе TCAD Sentaurus Synopsys. Разработан и введен на-бор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиа-ционно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO 2 и HfO 2 и на границах HfO 2 /Si от дозы ионизирующего излучения. Проведено моделирование нанометровых МОП-транзисторов с high-k диэлектриком, изготовленных по технологии на объемном кремнии и КНИ. Показано, что для нанометровых КНИ-структур увеличение тока стока после облучения обусловливается накоплением заряда в боковом оксиде.Достигнуто приемлемое соотношение между результатами моделиро-вания и экспериментальными данными. Результаты моделирования под-тверждают, что суб-100-нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком по сравнению с традиционными МОП-транзисторами с диэлектриком SiO 2 подавляют ток утечки. Однако остальные важные параметры суб-100-нм МОП-транзисторов с high-k диэлектриком более чувствительны к иониза-ционному облучению.Ключевые слова: high-k диэлектрик; МОП-транзисторы; КНИ; TCAD; иони-зационное излучение.Для цитирования: Петросянц К.О., Попов Д.А., Быков Д.В. TCAD-моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 -нм high-k МОП-транзисторных структурах // Изв. вузов. Электроника.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.