Впервые проведены фотоэмиссионные исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ электронной структуры поверхности n-GaN(0001) и интерфейса Cs/n-GaN(0001) в диапазоне субмонослойных Cs-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных уровней Ga 3d, Cs 4d и Cs 5p при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50−150 eV. Обнаружена эволюция спектра поверхностных состояний вблизи максимума валентной зоны при адсорбции атомов Cs. Показан металлический характер наноинтерфейса Cs/n-GaN(0001).
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4o, выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1s. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4o приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4o атомами Cs.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.