Установлено, что в двух плоскопараллельных слоях разных диэлектриков, заключенных между пластинами плоского конденсатора, происходит усиление более чем в 10 3 раз синусоидального электрического поля. Для этого должны выполняться следующие условия: 1) один слой из двух образован мелкодисперсным диэлектриком, на поверхности частиц которого созданы ионизованные донорные центры, а в объеме частиц имеются свободные электроны; 2) диэлектрическая проницаемость порошка имеет отрицательное значение. При этом в слое порошка одновременно с усилением электрического поля происходит его инверсия. ВведениеИзучение электронных явлений в неоднородных полу-проводниках привлекает внимание исследователей (см., например, [1]). В случае мелкодисперсных полупро-водников, поверхность частиц которых легирована до-норной примесью, волновые функции электронов зоны проводимости ограничены размерами зерен порошка. Вследствие этого электронные явления в таких мел-кодисперсных материалах и однородных полупроводни-ках n-типа различаются существенным образом. Вольт-амперные характеристики порошков, поверхность на-ночастиц которых насыщена межузельными атомами водорода (донор), содержат участки отрицательного дифференциального сопротивления, которое монотонно приближается к нулю при увеличении силы тока [2]. Согласно результатам теоретического анализа, полупро-водниковые материалы, состоящие из сферических на-ночастиц, могут иметь термоэлектрическую эффектив-ность, в десятки раз превышающую термоэлектрическую эффективность однородных полупроводников. Для этого термоэлектронная работа выхода частиц порошка долж-на быть менее 1 eV [3], например в связи с наличием на их поверхности донорных центров.Цель настоящей работы состоит в изучении поляри-зации в синусоидальном электрическом поле мелкодис-персных диэлектриков, на поверхности частиц которых созданы ионизованные донорные центры. Электрическое поле в двухслойных диэлектрикахгде ε ′ и ε ′′ -ее вещественная и мнимая части, ε c = ε ′ c + iε ′′ c -диэлектрическая проницаемость решет-ки без учета свободных носителей тока, σ = σ ′ + iσ ′′ -электропроводность полупроводника, σ ′ и σ ′′ -веще-ственная и мнимая части электропроводности,e -заряд электрона, N(E) -плотность состоя-ний в зоне проводимости, E -энергия электрона,Используя для интеграла в выражении (2) теорему о среднем, с помощью формул (1) и (2) находимгде n -концентрация свободных электронов, m -эффективная масса электропроводности
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.