Пленки Pt с толщиной h = 20−100 nm, нанесенные на окисленную пластину c-Si (100), подвергались отжигу в вакууме в режиме 500• C/1 h, в результате которого произошли рекристаллизация и рост зерен. Одновременно с нормальным наблюдался и аномальный рост, что привело к разделению зерен на фракции, соответственно, обычных и вторичных зерен. Для h = 20−40 nm вторичные зерна становятся заметно крупнее обычных, поэтому распределение латеральных размеров зерен становится бимодальным. Найдено, что скорость аномального роста латеральных размеров зерен увеличивается с уменьшением h, тогда как скорость нормального роста не зависит от h. С помощью анализа профилей рентгенодифракционных максимумов Pt(111) и Pt(222) найдено, что в результате отжига средний размер областей когерентного рассеяния D увеличивается. Для пленок, подвергнутых отжигу, D сублинейно увеличивается с ростом h, тогда как для исходных пленок наблюдается линейный рост D.
Textured Pt films with thickness h=20-80 nm were sputter deposited on oxidized c-Si (100) wafers and annealed in vacuum at 500°C/60 min. The thickness dependencies of the crystalline texture parameters and of the fraction of crystalline phase δ are obtained for as-deposited and annealed films using X-ray diffraction. The determination of δ in textured films is carried out by the new method based on rocking curve analysis. It is found that annealing leads to the texture improvement and to the increasing of δ for all h. The less h, the stronger effects of texture improvement and of δ increasing. These results are explained by the annealing-induced formation of large secondary grains whose volume fraction increases as h decreases. The inhomogeneity of the depth distributions of texture parameters and of δ are investigated for the as-deposited Pt films.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.