The emission spectra of structures based on ZnO films deposited by high-frequency magnetron sputtering are studied. Clearly pronounced emission lines associated with the recombination of free (λ = 363 nm) and bound excitons (λ = 377, 390, 410 nm) are observed in the PL (photoluminescence) spectra ( T = 300 K) of n -ZnO/ p -GaN:Mg structures, and no substantial emission is observed in the impurity PL region λ = 450–600 nm. Only emission lines characteristic of n -ZnO (λ = 374 nm) are observed in the EL (electroluminescence) spectra of n -ZnO/ p -ZnO structures ( T = 300 K).
Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N+) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437