Продемонстрирован подход к экспресс-диагностике эпитаксиальных пленок с резким снижением плотности прорастающих дислокаций. Использован метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, в частности картирование обратного пространства. Проведен структурный анализ гетеросистем GaAs/Si(001) с низкотемпературными слоями GaAs. Зарегистрировано снижение плотности прорастающих дислокаций в пленке GaAs с образованием малоугловой границы.
С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг < 110> в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходит поворот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (001). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44299.16494
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.