Проведены исследования чувствительности параметров классических n+/n- GaAs и AlGaN/GaN структур с двумерным электронным газом (НЕМТ) и полевых транзисторов на их основе к gamma-нейтронному воздействию. Определены уровни их радиационной стойкости. Развит метод экспериментального исследования структур на основе дифференциального анализа вольт-фарадных характеристик, позволяющий определять слои структуры, в которых накапливаются радиационные дефекты. Впервые предложена методика, позволяющая учесть изменение площади обкладок измеряемой емкости барьерного контакта, связанной с возникновением кластеров радиационных дефектов, формирующих диэлектрические включения в слое двумерного электронного газа.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.