В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам на
основе кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру с
прямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работа
направлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных в
диэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Нами
был проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные в
диэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии на
подложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволили
определить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методом
спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательных
спектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,
обнаружен узкий пик при 418 см-1
, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскости
двумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.
Approaches to the formation of epitaxial structures containing two-dimensional Si and Ge layers embedded in a CaF2 dielectric matrix have been developed. Raman study demonstrates the presence of narrow peaks related to Si-Si and Ge-Ge bond vibrations in the growth plane of structure. In the photoluminescence spectra of the created structures, emission bands, which can be associated with the radiative recombination of charge carriers in two-dimensional Si and Ge layers embedded in CaF2 have been found.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.