Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с послойным травлением выполнен анализ химического и фазового состава многослойных нанопериодических структур SiOx/ZrO2, полученных испарением в вакууме из раздельных источников и подвергнутых высокотемпературному отжигу. Установлено, что при используемых условиях напыления слои субоксида кремния имели коэффициент стехиометричности x~1.8, а цирконийсодержащие слои представляли собой стехиометрический диоксид циркония. С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии обнаружено, что отжиг многослойных структур при 1000oC приводит к взаимодиффузии компонентов и химическому взаимодействию ZrO2 и SiOx c образованием преимущественно силиката циркония на гетерограницах структур. Слои SiOx отожженных наноструктур содержали ~ 5 at.% элементарного кремния как следствие фазового разделения и формирования нанокристаллов кремния малого размера. Исследование проводилось при поддержке Министерства образования и науки РФ (государственное задание N 3.285.2014/K) и при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты N 14-02-00119 и 15-02-05086). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44491.377
The study results of the effect of annealing in a zinc vapor atmosphere on the defect and impurity composition of iron diffusion-doped ZnSe:Te plates on the characteristics of cathodoluminescence (CL) in the IR range are described.
The formation of precipitates at the boundaries of twin faults was found.
It is shown that in structures with a surface iron concentration of more than 1 at%, a significant increase in the CL intensity in the IR range is observed as a result of annealing in a zinc vapor atmosphere.
A partial recovery of interband luminescence in regions with a high iron concentration as a result of annealing was found.
Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.
The kinetics of diffusion processes occurring d0uring the formation of polycrystalline Si1-xGex nanostructures (x=0.20, 0.35) by electro-pulse plasma sintering in the temperature range 20-1200°C was studied for the first time. A mechanism for the formation of a solid solution of SiGe is proposed as a result of a comprehensive study of the microstructure and phase composition of samples with particle sizes from 150 nm to 100 μm, together with the analysis of experimental sintering maps. It is based on the phenomenon of mutual diffusion of Si and Ge atoms that occurs during the entire sintering process. For the selected sintering modes, the grain size of the formed SiGe corresponds to the size of the initial powder particles.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.