Методом плазмохимического осаждения сформированы четыре пары p-i-n-структур на основе pm-Si:H (полиморфного Si : H). Структуры в каждой паре выращивались на одной подложке так, что одна из них была без Ge в i-слое, а другая содержала Ge, который осаждался слоем толщиной 10 нм методом вакуумного напыления. Пары различались между собой температурой подложки при осаждении Ge, которая была 300, 350, 400 и 450 oC. Данные электронной микроскопии показали, что структуры, полученные при 300 oC, содержали нанокристаллы Ge (nc-Ge), центрами зарождения которых являлись нанокристаллические включения на поверхности pm-Si:H. Концентрация nc-Ge увеличивалась c возрастанием температуры. Исследование вольт-амперных характеристик показало, что наличие Ge в i-слое уменьшало плотность тока короткого замыкания в p-i-n-структурах, когда они использовались как солнечные элементы, тогда как наблюдалось увеличение тока под действием освещения при обратном смещении. Полученные результаты согласуются с известными данными для структур с кластерами Ge в Si, согласно которым кластеры Ge увеличивают коэффициент поглощения света, но также увеличивают и скорость рекомбинации носителей. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45024.8547
Для создания массивов высокоиндексных диэлектрических частиц на поверхности подложек обычно используются традиционные литографические методы микро- и нанотехнологий с последующим травлением, а также CVD, лазерной абляции и др. [1]. Недостатком этих методов является либо необходимость использования шаблонов, либо необходимость в проведении травления. Другой способ создания покрытий из массива частиц основан на эффекте несмачивания, недостатком которого также является необходимость в отжиге подложки при высокой температуре (свыше 700°C) и отсутствие реальной возможности с требуемой точностью контролировать размер, форму и взаимное расположение частиц [2]. Поэтому нами разрабатывается методика, лишенная перечисленных недостатков, преимуществами которой являются отсутствие термообработки материалов подложки и совместимость с кремниевой технологией.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.