The effect of a thin metal coating in near-field fluorescence imaging is studied by using a model based on the plane wave decomposition, that takes into account the dynamic nature of the molecule's electronic structure, namely the modification of the fluorescence lifetime due to the near-field environment (the metal layer and the probe's presence). The electromagnetic wave crossing the metal layer generates a plasmon excitation, the effect of which is the more important when the molecules, considered as dipoles, are polarized perpendicularly to the surface and when they are in a saturated excitation state. The consequence of the plasmon excitation is a decrease in fluorescence lifetime and, for the case of molecules polarized perpendicularly to the surface, a decrease in lateral resolution. When the molecules are polarized parallel to the surface, plasmon excitation is weaker and its effect on the resolution seems to be beneficial. The interaction with the probe is also studied; its effect on imaging of molecules is weak in the presence of the metal coating.
In order to improve the particle control capability of the divertor and to demonstrate the possibility of a dense and cold divertor with high confinement plasmas, a closed divertor study has been carried out on the JFT-2M tokamak. When a strong gas puff is applied into the divertor chamber, a baffling effect is revealed by enhanced radiation localization and high neutral pressure in the divertor chamber, low core fuelling and sustainment of core confinement quality. The baffling effect is further enhanced with × flow and/or current in the scrape-off layer by applying divertor biasing. A dense and cold divertor state (n div e ≈ 4 × 10 19 m −3 and T div e ≈ 4 eV), together with the improved confinement modes, can be obtained by strong gas puffing. Furthermore, the improved core confinement is not affected significantly in the high density region (ne/n G e < 0.7). The UEDA code simulation reproduces the baffling effect and a dense and cold divertor plasma with a closed divertor structure.
СОДЕРЖАНИЕВведение 259 1. Избыточные квазичастицы в сверхпроводниках с притяжением между электронами 265 а) Основные уравнения (265). 1) Уравнение для параметра порядка (265); 2) Кинетическое уравнение для квазичастиц (266); 3) Источники неравно-весных квазичастиц (267); 4) Кинетическое уравнение для фононов (268); 5) Кинетика квазичастиц в сверхпроводниках (269). б) Однородные состояния сверхпроводников с широким источником квазичастиц (269). 1) Эвристи-ческие модели функций распределения квазичастиц (269); 2) Модель «к = = -1, у = О, Τ = 0» (270); 3) Энергетическое распределение неравновесных квазичастиц, рожденных широким источником (272); 4) Сравнение с экспе-риментом (275); 5) Параметр порядка (275); 6) Критическая мощность (278); 7) Генерация неравновесных фононов (278); 8) Магнитные свойства неравно-весных сверхпроводников (279); 9) Вольт-амперные характеристики тун-нельных переходов (280). в) Однородные состояния сверхпроводников с уз-ким источником квазичастиц (281). 1) Концентрация квазичастиц и параметр порядка вблизи порога инжекции (281); 2) Функции распределения квази-частиц в сверхпроводнике с узким источником (284); 3) Пороговое поглоще-ние электромагнитного поля и вольт-амперные характеристики туннельных переходов при пороговом напряжении (285). г) Неустойчивости в сверхпро-водниках с избыточными квазичастицами (286). 1) Типы неустойчивостей (286); 2) Пороговая неустойчивость (286); Пороговая неустойчивость в сверх-проводниках с туннельной инжекциеи (287); 3) Когерентная неустойчи-вость (288). 3.1) Кинетический подход. Оптическая накачка (288). 3.2) Зам-кнутое уравнение для Δ (289); 4) Диффузионная неустойчивость (290). д) Неоднородные состояния в сверхпроводниках с избыточными квазичасти-цами (291). 1) Структура неоднородного состояния сверхпроводника с широ-ким источником в отсутствие диффузии квазичастиц (291); 2) Структура неоднородного состояния сверхпроводника с учетом диффузии квазичастиц (293); 3) Неоднородные состояния сверхпроводника с узким источником квазичастиц (294); 4) Нестационарное неоднородное промежуточное состоя-ние (295); 5) Стационарное неоднородное состояние в сверхпроводниках с туннельной инжекциеи (296); 6) Сравнение с экспериментом (297); 7) Струк-тура неоднородного состояния в диффузионной модели (298). 2982. Сверхпроводники с инверсным распределением квазичастиц а) Сверхпроводящее спаривание в системах с отталкиванием (298). б) Созда-ние инверсного распределения квазичастиц (299). в) Исследование устойчи-вости сверхпроводника с инверсным распределением (300). г) Электромаг-нитные свойства (301). Заключение 303 Цитированная литература 305 ВВЕДЕНИЕИсследование сверхпроводников в состоянии, далеком от равновесно-го, привлекает все больший интерес. Одна из причин -высокая чувстви-тельность параметра порядка к внешним воздействиям. Другая причи-на -богатство явлений в неравновесных сверхпроводниках, обусловлен-5*
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.