Relaxation times for elastic electron scattering in 111-V compounds of InSb type are calculated taking into account consistently the nonparabolic structure of the conduction band, both in the density of states and electron wave functions. The calculations are based on the Kane model of band structure, including explicitly mixing of p-like components into the total wave function of the conduction band. Electron scattering by charged impurities and heavy holes, optical phonons (polar interaction), acoustic phonons, and piezo-acoustic modes are considered. Screening by free electrons is included in the longrange interactions and shown to play an important role a t higher electron concentrations. Both spin-conserving and spin-flip transitions are considered for all modes. It is demonstrated that transverse branches participate appreciably in acoustic scattering at high electron energies. In all cases, the presented calculations give much higher values of the theoretical mobilities for heavily doped samples than those obtained up to now taking into account only the proper density of states.Die Relaxationszeiten fur elastische Elektronenstreuung in 111-V-Verbindungen vom InSb-Typ werden unter konsistenter Beriicksichtigung der nichtparabolischen Struktur des Leitungsbandes sowohl in der Zustandsdichte als auch in der Wellenfunktion berechnet. Die Berechnungen beruhen auf dem Kaneschen Bandstrukturmodell, wobei explizit die Zumischung von p-artigen Komponenten in die Gesamtwellenfunktion des Leitungsbandes eingeschloasen wird. Elektronenstreuung durch geladene Defekte und schwere Locher, optische Phononen (polare Wechselwirkung), akustische Phononen und piezo-akustische Moden werden beriicksichtigt. In den langreichweitigen Wechselwirkungen wird Abschirmung durch freie Elektronen eingeschlossen und gezeigt, daI3 sie eine bedeutende Rolle bei hoheren Elektronenkonzentrationen spielen. Es werden sowohl spin-erhaltende als auch spin-flipUbergiinge fur alle Moden beriicksichtigt. Es wird gezeigt, daB transversale Zweige einen betriichtlichen Anteil an der akustischen Streuung bei hohen Elektronenenergien haben. I n allen Fsllen ergeben die dargelegten Berechnungen vie1 hohere Werte der theoretischen Beweglichkeiten fur stark dotierte Proben als die bisher erhaltenen, die nur die richtige Zustandsdichte beriicksichtigen.
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