Sn doped In,O, films are electrically conductive and transparent in the visible range of the spectrum. Films with a plasma wavelength in the 1 pm region have been prepared by spraying a solution of InCI, and SnC1, onto a heated substrate. The free electron concentration is observed to increase with the Sn content up to a maximum. A tentative explanation of thismaximum is presented. The optical constants of the films are compared with theoretical values obtained from electrical data. At long wavelengths the experimental results are in good agreement with the classical dispersion formula of a free electron gas. At wavelengths in the region of and shorter than the plasma wavelength the damping is found to be smaller than that predicted by classical theory. Films with a rough surface, typical dimensibns of the roughness being 10-6 cm, exhibit an additional surface plasmon absorption. I n conjunction with the shift of the plasma edge to shorter wavelengths with increasing free electron density, a shift of the UV-absorption edge to shorter wavelengths is observed, corresponding to the rise of the Fermi level within a parabolic conduction band. Consequences for the valence band structure are discussed.Sn-dotierte In,O,-Schichten sind elektrisch leitend und im Sichtbaren transparent. Schichten mit einer Plasmawellenliinge im 1 pm-Bereich wurden durch Spruhen einer Losung von InCl, und SnC1, auf ein erhitztes Substrat hergestellt. Mit dem Sn-Gehalt steigt die Konzentration freier Elektronen bis zu einem Maximum, fur welches eine mogliche Erkliirung gegeben wird. Die optischen Konstanten der Schichten werden mit theoretischen Werten verglichen, die aus den elektrischen Daten zu erwarten sind. Bei groDen Wellenliingen lassen sich die experimentellen Ergebnisse gut mit der klassischen Dispersionsformel f iir freie Elektronen wiedergeben. Im Wellenliingenbereich kleiner und gleich der Plasmawellenliinge findet man abweichend von der klassischen Theorie eine geringere Diimpfung. Schichten mit einer rauhen Oberfliichetypisch sind Dimensionen von omzeigen zusiitzlich eine Oberfliichenplasmonen-Absorption. Gleichzeitig mit einer Verschiebung der Plasmakante zu kleineren Wellenliingen durch eine gesteigerte Dichte freier Elektronen wird eine Verschiebung der UV-Absorptionskante zu kleineren Wellenliingen beobachtet, was einem Anheben des Fermi-Niveaus in und innerhalb eines parabolischen Leitungsbandes entspricht. Konsequenzen fur die Valenzbandstruktur werden hieraus abgeleitet.

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The initial susceptibility of Si-doped YIG is reduced by irradiation with light. This effect is explained by a simple two-center model, a strongly anisotropic center being formed from a less anisotropic one by light-induced electron transfer. Domain walls are pinned by these strongly anisotropic centers, of density n. If n is small enough, the stiffness will be proportional to n, since by local wall deformations each center within the wall can be made to occupy a site of lowest energy. For larger n this is no longer possible: instead, the optimum wall position will be determined by the statistical fluctuations of the center distribution, and the stiffness will be proportional to n1/2.