Анализ способов обеспечения мягкого переключения транзисторов повышающего преобразователя в системах электропитания космических аппаратов Рассмотрены варианты реализации непосредственных преобразователей напряжения повышающего типа с мягким переключением ключевых элементов, проведено сравнение схемотехнических решений. Показаны преимущества реализации «мягкого» включения транзисторов за счет пассивных цепей в двухфазных схемах преобразователей. Ключевые слова: система электропитания, повышающий преобразователь, мягкая коммутация, снабберная цепь. doi: 10.21293/1818-0442-2017-20-2-116-119 Системы электропитания космических аппара-тов (СЭП КА) представляют собой сложный ком-плекс, решающий задачу обеспечения потребителей электроэнергией необходимого качества. Наиболее часто качество электроэнергии определяется уров-нем напряжения на шине питания нагрузки, его от-клонением в статическом и динамическом режимах. В настоящее время в качестве силовой части уст-ройства, преобразующего энергию от источников питания -солнечной батареи (БС) и аккумуляторной батареи (АБ), в СЭП КА преимущественно приме-няются непосредственные преобразователи напря-жения (НПН) с широтно-импульсным регулирова-нием. Данный класс преобразователей характеризу-ется жесткой коммутацией транзисторных ключей, что сопровождается высоким уровнем динамиче-ских потерь и электромагнитных помех [1]. Задача увеличения КПД является одной из основопола-гающих при разработке источников питания, поэто-му снижение динамических потерь на ключевых полупроводниковых элементах является актуальной задачей для разработчиков СЭП КА.Одним из способов обеспечения мягкой комму-тации транзисторов является построение преобразо-вателей с резонансным переключением, что реали-зуется путем включения в цепь дополнительных снабберных цепей. Анализ способов построения повышающего преобразователя с «мягким» пере-ключением произведен применительно к преобразо-вателю энергии БС, имеющему широкий диапазон регулирования, что и является основной целью дан-ной работы.Схема повышающего резонансного НПН с импульсным параллельным подключением резонансного контура Одним из способов достижения мягкого пере-ключения транзисторов в схеме повышающего НПН может быть импульсное подключение резонансного контура параллельно силовому транзистору или диоду с помощью дополнительного транзистора [2][3][4]. Схема НПН такого типа представлена на рис. 1.Рис. 1. Схема резонансного НПН повышающего типа, построенная на основе подключения резонансного контура параллельно диоду Транзистор VT2 в данной схеме выполняет функции дополнительного силового ключа, подклю-чающего резонансный контур в моменты, предшест-вующие отпиранию основного транзистора VT1. Диод VD2 обеспечивает контур протекания тока до-полнительного дросселя L r , когда резонансный кон-денсатор C r разряжен, тем самым ограничивая уро-вень напряжения на полупроводниковых элементах снабберной цепи.Открытие транзистора VT2 происходит при от-сутствии тока в резонансном дросселе L r (I L r = 0), через который ток не может нарасти мгновенно. Данный ...
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.