2014 Nous avons mesuré la concentration totale d'hydrogène et la concentration d'hydrogène lié en SiH et SiH2 en fonction de l'épaisseur, d, de films de a-Si : H déposé sur c-Si avec des épaisseurs variant de 0,2 à 1,6 03BC. Le contenu relatif d'hydrogène lié varie de ~ 1 (d ~ 0,2 03BC) à un minimum de 0,5 (d ~ 0,6 03BC) pour atteindre ensuite une valeur presque constante (~ 0,8) au-dessus de 0,9 03BC. Il y a une décroissance significative ~ 5 % du contenu total en hydrogène quand l'épaisseur croit jusqu'à 0,5 03BC. Ces effets sont discutés en relation avec notre modèle sur le rôle de l'hydrogène dans ce matériau. Abstract. 2014 We have measured the total hydrogen content and the concentration of hydrogen bonded as SiH or SiH2 versus the thickness, d, of a-Si : H films deposited on c-Si from 0.2 03BC to 1.6 03BC. The relative ratio of bonded hydrogen decrease from ~ 1 (d ~ 0.2 03BC) to a minimum of 0.5 (d ~ 0.6 03BC) then reaches a nearly constant value of 0.8 above d ~ 0.9 03BC. There is a significant decrease of the total hydrogen content (~ 5 %) in the lower thickness range (d 5 000 Å). These effects are discussed in relationship with our previously published model on the role of hydrogen in this material.
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