Auf der Oberfläche von elektrolytisch aus Perchloratlösungen abgeschiedenem, Kobalt wurden hexagonale Wachstumspyramiden mit der (0001)‐Fläche als Basis beobachtet. Die Pyramidenhöhe nahm mit dei Menge des abgeschiedenen Kobalts zu und war von der Überspannung unabhängig. Entsprechend der Theorie des Kristallwachstums au Schraubenversetzungen war der Tangens des Winkels zwischen. Pyramidenseitenfläche und Basis proportional der Überspannung. Der Abstand der Wachstumsstufen war umgekehrt proportional der Überspannung. Die Stufenhöhe und die spezifische Randenergie der Stufen wurden berechnet. Es wurde gezeigt, daß bei Überspannungen η < 0,2 V die Bildung zweidimensionaler Keime sehr unwahrscheinlich ist und der mittlere Abstand der Halbkristallagen an den Stufen groß gegen die Atomabstände sein muß.
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