Исследовалось влияние термомеханических циклов (сжатие вдоль направления [011]--возврат деформации памяти формы при нагреве кристалла) на вид и характеристики диаграмм сжатия кристаллов сплава Ni49Fe18Ga27Co6, не подвергнутых после роста высокотемпературному отжигу и закалке в воду. Найдено, что в течение первых девяти циклов эти характеристики непостоянны. Начиная с десятого термомеханического цикла они становятся стабильными, а кристаллы по деформационным свойствам становятся аналогичными закаленным кристаллам этого сплава. Это означает, что в процессе термомеханического циклирования происходит диспергирование антифазных нанодоменов дислокациями, в результате чего неупорядоченная B2-структура кристалла превращается в упорядоченную L21-структуру, характерную для закаленных кристаллов. Ключевые слова: диаграмма сжатия кристалла, деформация памяти формы, упорядоченная и неупорядоченная структура сплава.
Record thick (up to 100 μm) epitaxial layers of a prospective metastable semiconductor Ga2O3 were grown by HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) on GaN buffer layers on c-sapphire substrates. The X-ray diffraction pattern of the layers show that the structure of the layer is a pure kappa(ε)-Ga2O3 without any other phases. At the same time, the organization of a domain structure was observed, which manifests itself in the form of pseudohexagonal prisms that retain the orientation of the gallium nitride sublayer. Schottky diodes with nickel contacts were fabricated and the electrical and photoelectric properties of the layers were studied. Capacitance-voltage (C-V) and frequency-capacitance (C-f) dependencies were studied, photocurrent and photocapacitance spectra were measured. Keywords: Gallium oxide, HVPE, epitaxial layers, sapphire substrates.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.